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IXKP 10N60C5M
1.6
V DS =
6V
6.5 V
7V
1.2
I D = 5.2 A
V GS = 10 V
40
36
V DS > 2 · R DS(on) max · I D
25 °C
1.2
5V
T JV = 150°C
5.5 V
20 V
1
32
0.8
28
24
0.8
0.6
20
0.4
98 %
typ
16
150 °C
T J =
12
0.4
0.2
8
4
0
0
0
0
5
10
15
20
-60
-20
20
60
100
140
180
0
2
4
6
8
10
I D [A]
T j [°C]
V
GS
[V]
Fig. 3 Typ. drain-source on-state
resistance characteristics of IGBT
Fig. 4 Drain-source on-state resistance
Fig. 5 Typ. transfer characteristics
10
2
10
9
8
I D = 5.2 A pulsed
10
10
5
4
V GS = 0 V
f = 1 MHz
10
1
T J = 150 °C
25 °C
150 °C, 98 %
7
V DS = 120 V
400 V
6
10
3
Ciss
5
4
10
2
10
0
25 °C, 98 %
3
2
10
1
Coss
1
Crss
10
-1
0
10
0
0
0.5
1
1.5
2
0
5
10
15
20
0
50
100
150
200
V
SD
[V]
Q
gate [nC]
V
DS
[V]
Fig. 6 Forward characteristic
Fig. 7
Typ. gate charge
Fig. 8 Typ. capacitances
of reverse diode
250
I D = 3.4 A
700
I D = 0.25 mA
200
660
150
620
100
580
50
0
540
20
60
100
140
180
-60
-20
20
60
100
140
180
T j [°C]
Fig. 9 Avalanche energy
T j [°C]
Fig. 10 Drain-source breakdown voltage
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2009 IXYS All rights reserved
20090209d
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